DS18B20時序分析
時間：2018-09-25 來源：未知
1、過程1、2是初始化過程，每次讀取都要初始化，否則18b20處于待機狀態，無法成功讀取。過程1：拉低信號線480-700us，使它復位，然后釋放總線15-60us，18b20會拉低總線60-240us，然后它釋放總線。所以初始化成功的一個標志就是能否讀到18b20這個先低后高的操作時序。
(注意：黑色部分表示主機操作，藍色部分表示18b20操作，每次主機操作完成之后等待18b20狀態時，必須要釋放總線，比如將IO設置為高阻態什么的。否則18B20沒法把狀態寫到線上)
2、過程3、4是寫1bit數據過程。過程3是寫0 ，過程4是寫1。過程3：拉低總線60us，然后抬高總線5us，完成。過程4：拉低總線5us，然后抬高總線60us，完成
3、過程5、6是讀1bit過程。過程5是讀0，過程6是讀1。過程5、6：拉低總線5us，然后釋放總線，讀取總線，如果為0，則讀入0，如果為1，則讀入1。
DS18B20時序
初始化序列——復位和存在脈沖
DS18B20的所有通信都由由復位脈沖組成的初始化序列開始。該初始化序列由主機發出，后跟由DS18B20發出的存在脈沖(presence pulse)。下圖(插圖13，即如下截圖)闡述了這一點。當發出應答復位脈沖的存在脈沖后，DS18B20通知主機它在總線上并且準備好操作了。
在初始化步驟中，總線上的主機通過拉低單總線至少480μs來產生復位脈沖。然后總線主機釋放總線并進入接收模式。
當總線釋放后，5kΩ的上拉電阻把單總線上的電平拉回高電平。當DS18B20檢測到上升沿后等待15到60us，然后以拉低總線60-240us的方式發出存在脈沖。
如文檔所述，主機將總線拉低短480us，之后釋放總線。由于5kΩ上拉電阻的作用，總線恢復到高電平。DS18B20檢測到上升沿后等待15到60us，發出存在脈沖：拉低總線60-240us。至此，初始化和存在時序完畢。
根據上述要求編寫的復位函數為：
首先是延時函數：(由于DS18B20延時均以15us為單位，故編寫了延時單位為15us的延時函數，注意：以下延時函數晶振為12MHz)
/*
************************************
函數：Delayxus_DS18B20
功能：DS18B20延時函數
參數：t為定時時間長度
返回：無
說明： 延時公式：15n+15(近似),晶振12Mhz
******************************************
*/
void Delayxus_DS18B20(unsigned int t)
{
for(t;t>0;t--)
{
_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();
}
_nop_(); _nop_();
}
延時函數反匯編代碼(方便分析延時公式)
C:0x0031 7F01 MOV R7,#0x01
C:0x0033 7E00 MOV R6,#0x00
C:0x0035 1206A6 LCALL delayxus(C:06A6)
38: void Delayxus_DS18B20(unsigned int t)
39: {
40: for(t;t>0;t--)
C:0x06A6 D3 SETB C
C:0x06A7 EF MOV A,R7
C:0x06A8 9400 SUBB A,#0x00
C:0x06AA EE MOV A,R6
C:0x06AB 9400 SUBB A,#0x00
C:0x06AD 400B JC C:06BA
41: {
42: _nop_();_nop_();_nop_();_nop_();
C:0x06AF 00 NOP
C:0x06B0 00 NOP
C:0x06B1 00 NOP
C:0x06B2 00 NOP
43: }
C:0x06B3 EF MOV A,R7
C:0x06B4 1F DEC R7
C:0x06B5 70EF JNZ Delayxus_DS18B20 (C:06A6)
C:0x06B7 1E DEC R6
C:0x06B8 80EC SJMP Delayxus_DS18B20 (C:06A6)
44: _nop_(); _nop_();
C:0x06BA 00 NOP
C:0x06BB 00 NOP
45: }
C:0x06BC 22 RET
分析上述反匯編代碼，可知延時公式為15*(t+1)
/*
************************************
函數：RST_DS18B20
功能：復位DS18B20，讀取存在脈沖并返回
參數：無
返回：1：復位成功 ;0：復位失敗
說明： 拉低總線至少480us ;可用于檢測DS18B20工作是否正常
******************************************
*/
bit RST_DS18B20()
{
bit ret="1";
DQ=0;/*拉低總線 */
Delayxus_DS18B20(32);/*為保險起見，延時495us */
DQ=1;/*釋放總線 ，DS18B20檢測到上升沿后會發送存在脈沖*/
Delayxus_DS18B20(4);/*需要等待15~60us，這里延時75us后可以保證接受到的是存在脈沖(如果通信正常的話) */
ret=DQ;
Delayxus_DS18B20(14);/*延時495us，讓ds18b20釋放總線，避免影響到下一步的操作 */
DQ=1;/*釋放總線 */
return(~ret);
}
寫時序：
主機在寫時隙向DS18B20寫入數據，并在讀時隙從DS18B20讀入數據。在單總線上每個時隙只傳送一位數據。
寫時間隙
有兩種寫時隙：寫“0”時間隙和寫“1”時間隙。總線主機使用寫“1”時間隙向DS18B20寫入邏輯1，使用寫“0”時間隙向DS18B20寫入邏輯0.所有的寫時隙必須有少60us的持續時間，相鄰兩個寫時隙必須要有少1us的恢復時間。兩種寫時隙都通過主機拉低總線產生(見插圖14)。
為產生寫1時隙，在拉低總線后主機必須在15μs內釋放總線。在總線被釋放后，由于5kΩ上拉電阻的作用，總線恢復為高電平。為產生寫0時隙，在拉低總線后主機必須繼續拉低總線以滿足時隙持續時間的要求(至少60μs)。
在主機產生寫時隙后，DS18B20會在其后的15到60us的一個時間窗口內采樣單總線。在采樣的時間窗口內，如果總線為高電平，主機會向DS18B20寫入1;如果總線為低電平，主機會向DS18B20寫入0。
如文檔所述，所有的寫時隙必須至少有60us的持續時間。相鄰兩個寫時隙必須要有少1us的恢復時間。所有的寫時隙(寫0和寫1)都由拉低總線產生。
為產生寫1時隙，在拉低總線后主機必須在15us內釋放總線(拉低的電平要持續至少1us)。由于上拉電阻的作用，總線電平恢復為高電平，直到完成寫時隙。
為產生寫0時隙，在拉低總線后主機持續拉低總線即可，直到寫時隙完成后釋放總線(持續時間60-120us)。
寫時隙產生后，DS18B20會在產生后的15到60us的時間內采樣總線，以此來確定寫0還是寫1。
滿足上述要求的寫函數為：
/*
************************************
函數：WR_Bit
功能：向DS18B20寫一位數據
參數：i為待寫的位
返回：無
說明： 總線從高拉到低產生寫時序
******************************************
*/
void WR_Bit(bit i)
{
DQ=0;//產生寫時序
_nop_();
_nop_();//總線拉低持續時間要大于1us
DQ=i;//寫數據 ，0和1均可
Delayxus_DS18B20(3);//延時60us，等待ds18b20采樣讀取
DQ=1;//釋放總線
}
/*
***********************************
函數：WR_Byte
功能：DS18B20寫字節函數，先寫低位
參數：dat為待寫的字節數據
返回：無
說明：無
******************************************
*/
void WR_Byte(unsigned char dat)
{
unsigned char i="0";
while(i++<8)
{
WR_Bit(dat&0x01);//從低位寫起
dat>>=1; //注意不要寫成dat>>1
}
}
讀時序：
DS18B20只有在主機發出讀時隙后才會向主機發送數據。因此，在發出讀暫存器命令 [BEh]或讀電源命令[B4h]后，主機必須立即產生讀時隙以便DS18B20提供所需數據。另外，主機可在發出溫度轉換命令T [44h]或Recall命令E 2[B8h]后產生讀時隙，以便了解操作的狀態(在 DS18B20操作指令這一節會詳細解釋)。
所有的讀時隙必須至少有60us的持續時間。相鄰兩個讀時隙必須要有少1us的恢復時間。所有的讀時隙都由拉低總線，持續至少1us后再釋放總線(由于上拉電阻的作用，總線恢復為高電平)產生。在主機產生讀時隙后，DS18B20開始發送0或1到總線上。DS18B20讓總線保持高電平的方式發送1，以拉低總線的方式表示發送0.當發送0的時候，DS18B20在讀時隙的末期將會釋放總線，總線將會被上拉電阻拉回高電平(也是總線空閑的狀態)。DS18B20輸出的數據在下降沿(下降沿產生讀時隙)產生后15us后有效。因此，主機釋放總線和采樣總線等動作要在15μs內完成。
插圖15表明了對于讀時隙，TINIT(下降沿后低電平持續時間), TRC(上升沿)和TSAMPLE(主機采樣總線)的時間和要在15μs以內。
插圖16顯示了大化系統時間寬限的方法：讓TINIT 和TRC盡可能的短，把主機采樣總線放到15μs這一時間段的尾部。
由文檔可知，DS18B20只有在主機發出讀時隙時才能發送數據到主機。因此，主機必須在BE命令，B4命令后立即產生讀時隙以使DS18B20提供相應的數據。另外，在44命令，B8命令后也要產生讀時隙。
所有的讀時隙必須至少有60us的持續時間。相鄰兩個讀時隙必須要有少1us的恢復時間。所有的讀時隙都由拉低總線，持續至少1us后再釋放總線(由于上拉電阻的作用，總線恢復為高電平)產生。DS18B20輸出的數據在下降沿產生后15us后有效。因此，釋放總線和主機采樣總線等動作要在15us內完成。
滿足以上要求的函數為：
/*
***********************************
函數：Read_Bit
功能：向DS18B20讀一位數據
參數：無
返回：bit i
說明： 總線從高拉到低，持續至1us以上，再釋放總線為高電平空閑狀態產生讀時序
******************************************
*/
unsigned char Read_Bit()
{
unsigned char ret;
DQ=0;//拉低總線
_nop_(); _nop_();
DQ=1;//釋放總線
_nop_(); _nop_();
_nop_(); _nop_();
ret=DQ;//讀時隙產生7 us后讀取總線數據。把總線的讀取動作放在15us時間限制的后面是為了保證數據讀取的有效性
Delayxus_DS18B20(3);//延時60us，滿足讀時隙的時間長度要求
DQ=1;//釋放總線
return ret; //返回讀取到的數據
}
/*
************************************
函數：Read_Byte
功能：DS18B20讀一個字節函數，先讀低位
參數：無
返回：讀取的一字節數據
說明： 無
******************************************
*/
unsigned char Read_Byte()
{
unsigned char i;
unsigned char dat="0";
for(i=0;i<8;i++)
{
dat>>=1;//先讀低位
if(Read_Bit())
dat|=0x80;
}
return(dat);
}
/*
************************************
函數：Start_DS18B20
功能：啟動溫度轉換
參數：無
返回：無
說明： 復位后寫44H命令
******************************************
*/
void Start_DS18B20()
{
DQ=1;
RST_DS18B20();
WR_Byte(0xcc);// skip
WR_Byte(0x44);//啟動溫度轉換
}
/*
************************************
函數：Read_Tem
功能：讀取溫度
參數：無
返回：int型溫度數據，高八位為高八位溫度數據，低八位為低八位溫度數據
說明： 復位后寫BE命令
******************************************
*/
int Read_Tem()
{
int tem="0";
RST_DS18B20();
WR_Byte(0xcc);// skip
WR_Byte(0xbe);//發出讀取命令
tem=Read_Byte();//讀出溫度低八位
tem|=(((int)Read_Byte())<<8);//讀出溫度高八位
return tem;
}
注： DS18B20官方文檔中沒有說明讀寫數據位的順序，查了下資料，DS18B20讀寫數據都是從低位讀寫的。
